在光刻后处理阶段，从浆液处理工序中出来的晶圆上，其图案区域仍带有微小的液滴。这样的晶圆实际上已经具备了合格品的条件。而水痕、重新沉积物以及图案变形等问题则通常会在后续的光刻和蚀刻工序中出现。因此，干燥装置并非可有可无的部件，而是晶圆离开CMP处理单元前的最后一道热处理步骤。
技术上的关键点
我们设计的这种光刻后处理用晶圆干燥装置，采用了石英-卤素短波发射器作为加热源。该发射器能够快速且均匀地传递能量，其输出功率也保持稳定。在生产线环境中，晶圆表面的温度均匀性可控制在±0.1°C以内，这样就能确保第一块晶圆与最后一块晶圆之间的温度一致性。
该加热装置的主体设计符合1级至100级洁净室的标准，其表面在经历温度变化时不会产生颗粒物。通过低气体释放设计以及将高温区域与可能将污染物吹回晶圆表面的气流隔离开来，可以有效减少颗粒物的生成。这样一来，就可以实现重复性的干燥效果，且不会留下任何残留物。
为何能在实际光刻后处理中发挥效用
在光刻后处理过程中，关键在于让晶圆上的物质能够均匀蒸发，同时避免损坏薄膜结构。精确的温度控制可以确保光阻层及下面的介质层始终处于标准范围内，即便经历了CMP工艺中的机械和化学处理之后也是如此。
由于加热器能够迅速达到设定温度，因此可以缩短处理时间；同时，因为工艺可以反复进行，所以废晶圆的数量也会减少。高效的热源设计以及能够最小化能量损耗的设计，有助于降低能耗。从实际应用来看，其可靠性取决于设备的持续运行时间——它能够24/7不停地运转，只有在进行定期维护时才会停止工作。
需要考虑的因素
该加热装置可以与标准的CMP及清洗设备相集成，但需注意，发射器周围以及排气路径的空间相对狭小。因此，需要提前调整好机械结构及气体排放接口的位置，同时确保电源和控制接口与设备的要求相匹配。
该加热装置的寿命取决于洁净室的环境状况。如果溶剂蒸汽和颗粒物过多，就会缩短其使用寿命，并导致温度均匀性下降。应该将此加热装置视为工艺流程中不可或缺的一部分，这样才能保持±0.1°C的温度均匀性，从而让晶圆保持干燥、清洁的状态，为下一步处理做好准备。