ファブ内では、フォトレジストの焼成処理は「一時停止」ではありません。それは、偽ることのできない重要な制御ポイントです。ソフトバーンまたはハードバーンの際に1℃の偏差が生じると、重要な寸法が目標値から外れ、線端の粗さが悪化します。私たちは、プロセスが要求する温度を維持するために、深紫外線用のレジスト焼成ランプを設計しました。つまり、装置が自然に到達する温度ではなく、プロセスに必要な温度を維持するのです。
ウエハーが処理されている間に重要なのは、負荷下での再現性です。このランプによって、ウエハー表面全体の温度が±0.1℃以内に保たれ、これにより溶剤の除去や架橋反応が均一に行われます。
出力プロファイルは、DUVレジストの化学的特性に合わせて短波および中波が調整されており、迅速な熱応答により焼成時間が短縮されます。また、プロファイルの制御も維持されます。
クリーンルームとの互換性も重要です。クラス1～100の環境では、熱源からの粒子発生が一切ありません。また、検証済みのシステムでは、24時間365日稼働しても計画外の停止はありません。
具体的なメリットとしては、フォトレジストの焼成温度の精度が高くなり、それによって寸法のばらつきや再加工の必要性が減少します。また、エネルギー消費も設計上低く抑えられており、長寿命の発光体を使用しているため、予備部品やメンテナンスの必要も少なくなります。
これは、国際的な半導体装置の基準に合致した実証済みの代替案です。同じ熱性能を誇りながら、特定のベンダーに縛られることはありません。
ただし、注意点として、チャンバーの形状やウエハーの配置によって熱の均一性は変わります。最良の結果を得るためには、ランプを特定のチャンバーの形状に合わせ、新しい焼成プロファイルに合わせて最適化する必要があります。
私たちは、変更内容を測定可能にするためのインターフェースデータやアプリケーションノートを提供します。