Nella linea da 300 mm, si può percepire quando il profilo di essiccazione inizia a deviare dal valore desiderato. I margini delle linee diventano irregolari, e dopo lo sviluppo si osserva la presenza di impurità sulla superficie del wafer. Quando la zona calda non riesce a mantenere la temperatura desiderata, si spreca la quantità di fotoresist utilizzata, con conseguente riduzione della resa produttiva. Abbiamo progettato il nostro sistema a infrarossi proprio per evitare che ciò accada.
Cosa è importante dal punto di vista tecnico L’array di emettitori a infrarossi a corta lunghezza d’onda è configurato per garantire un’omogeneità termica alla superficie del wafer, mantenendo una variazione di temperatura di ±0,1°C durante tutti i processi di essiccazione e cura. La rapida risposta del sistema riduce il ritardo termico, permettendo così alla temperatura di seguire esattamente i valori richiesti senza superarli. La zona calda è compatibile con ambienti di tipo “cleanroom” dalle classe 1 alle classe 100; inoltre, non genera alcuna particella durante il funzionamento in condizioni stabili. Si ottiene quindi affidabilità 24/7, senza interruzioni impreviste, e una ripetibilità tale da garantire che le dimensioni e lo spessore del wafer rimangano sempre entro i limiti previsti.
Perché è utile in litografia In litografia, il processo di essiccazione “morbida” serve per eliminare i solventi e gestire le tensioni presenti nel film. Il processo di essiccazione “dura”, invece, serve per fissare l’immagine sul wafer, rendendolo pronto per l’erosione o l’impianto di materiali. Grazie a un riscaldamento uniforme, il comportamento del materiale rimane costante su tutta la superficie del wafer. Le caratteristiche geometriche del wafer rimangono precise, riducendo così il numero di ripetute lavorazioni e i rifiuti prodotti.
Inoltre, si riduce anche il consumo energetico: il sistema riscalda soltanto l’area necessaria, e il riscaldamento avviene rapidamente, permettendo così di mantenere sotto controllo la massa termica e di ridurre il consumo di energia.
Aspetti pratici La zona calda è compatta e deve poter essere integrata nell’ambiente in cui avvengono i processi di trattamento del wafer. È necessario garantire uno spazio sufficiente intorno al wafer, e la direzione del flusso d’aria deve essere coerente con quella già presente nel sistema di aspirazione.
La configurazione del sistema è semplice: basta regolare la potenza delle lampade, l’emissività e i parametri PID in base al tipo di fotoresist utilizzato. Una volta impostati questi parametri, il processo può essere ripetuto. Tuttavia, se si cambia il tipo di fotoresist o si utilizzano film più spessi, sarà necessario effettuare nuove regolazioni per mantenere la stessa omogeneità e prestazioni del sistema.