Trên dây chuyền sản xuất, ngay cả sự thay đổi nhiệt độ nhỏ khoảng nửa độ cũng có thể ảnh hưởng đến các thông số kỹ thuật quan trọng của sản phẩm và làm giảm tỷ lệ sản phẩm đạt tiêu chuẩn. Các bề mặt gia nhiệt thông thường khó có thể khắc phục được tình trạng trễ nhiệt và sự chênh lệch nhiệt độ ở các vùng khác nhau, và điều này lại ảnh hưởng đến chất lượng sản phẩm. Chúng tôi đã chế tạo ra một máy sấy bằng tia hồng ngoại nhỏ gọn để xử lý IC, nhằm loại bỏ những yếu tố gây biến động này.
Sự đồng đều và khả năng lặp lại cao Máy sấy này sử dụng các bộ phát tia hồng ngoại gần để tạo ra nhiệt độ đồng đều trên toàn bộ bề mặt wafer. Nhiệt độ được kiểm soát ở mức ±0,1°C trong suốt quá trình sấy. Chúng tôi sử dụng hệ thống đo nhiệt độ theo vòng lặp ngay tại bề mặt wafer, cùng với buồng phản xạ để ngăn không cho nhiệt lượng lan ra ngoài. Độ lặp lại giữa các lần sấy chỉ vào khoảng vài chục miligrad, giúp đảm bảo rằng các thông số kỹ thuật quan trọng vẫn được duy trì ổn định.
Tại sao phương pháp này hiệu quả? Trong quy trình in ấn, phương pháp này cho phép kiểm soát tốt cả quá trình sấy ở nhiệt độ thấp lẫn nhiệt độ cao, từ đó rút ngắn thời gian xử lý mà vẫn đảm bảo chất lượng bề mặt wafer. Trong quá trình làm sạch và sấy khô, phương pháp này giúp loại bỏ hơi ẩm mà không làm nóng quá mức các lớp vật liệu mỏng. Máy sấy này có thể hoạt động liên tục trong 24/7, với tuổi thọ bộ phát tia hơn 5.000 giờ và hiệu suất ổn định.
Những điều cần lưu ý khi sử dụng Việc lắp đặt máy sấy đòi hỏi phải có nguồn điện 24 VDC riêng biệt, cùng với bàn làm việc sạch sẽ và không bị rung động, nhằm đảm bảo độ chính xác trong việc định hướng tia nhiệt. Máy sấy được thiết kế dành cho các wafer kích thước 150 mm và 200 mm; đối với wafer kích thước 300 mm, cần phải sử dụng bộ phận kẹp wafer tùy chỉnh và quy trình hiệu chuẩn riêng. Hãy thực hiện các bài kiểm tra ban đầu để xác định chính xác các thông số kỹ thuật cần thiết, sau đó mới áp dụng công thức xử lý phù hợp.