<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>OLED on Infrared Heating Applications</title>
		<link>http://ir-heating-case.com/de/tags/oled/</link>
		<description>Recent content in OLED on Infrared Heating Applications</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>de</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Tue, 23 Jun 2026 00:57:25 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heating-case.com/de/tags/oled/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Trocknungslampe für die OLED Herstellung</title>
				<link>http://ir-heating-case.com/de/posts/oled-manufacturing-drying-lamp/</link>
				<pubDate>Tue, 23 Jun 2026 00:57:25 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heating-case.com/de/posts/oled-manufacturing-drying-lamp/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heating-case.com/images/1764273a9805a56244015746cb190d47.png&#34; alt=&#34;Trocknungslampe für die OLED Herstellung&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Bei der OLED-Lithografie gibt es keine Möglichkeit, auf thermische Schwankungen Rücksicht zu nehmen. Selbst geringe Temperaturunterschiede von ±0,5 °C führen dazu, dass die CD-Uniformität beeinträchtigt wird – zudem entstehen Probleme mit den Resistprofilen, die das Ätzen erschweren. Man benötigt daher eine Trockenlampe, die eine konstante Temperatur hält – und nicht etwas, &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;dessen&lt;/a&gt; Temperatur mit den Bedingungen im Raum schwankt.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Was wir gebaut haben und warum&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Wir haben die OLED-Trockenlampe in Halogenemittenten mit Kurzwellen-Infrarotstrahlung untergebracht – diese befinden sich wiederum in einer Quarzkapsel. Dadurch wird Energie schnell und direkt an den Photoresisten übertragen, wobei das Substrat nur minimal erhitzt wird. Die Heizelemente sind so &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;angeordnet&lt;/a&gt;, dass die Temperatur innerhalb des Wafers bei ±0,1 °C bleibt – die Wiederholgenauigkeit beträgt dabei 0,05 °C pro Cycle.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
